BF998E6327 可做含税，支持实单
BF998E6327
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Gate
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: BF998
3000
子类别: MOSFETs
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V to 12 V
宽度: 1.3 mm
零件号别名: SP000010978 BF998E6327XT BF998E6327HTSA1
单位重量: 10 mg
BAR67-02VH6327 BB664-02VH7902 BAR67-02VH6327 BF998E6327 BSP373NH6327 BAT18-04E6327 BCX41E6327 BSS84PH6327 BCX41E6327 BB804E6327 BC808-16W
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