FQPF10N60CT
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 9.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 77 ns
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 69 ns
系列: FQPF10N60C
FQPF9N90CT
FQPF4N90CT
FQPF10N60CT
FQP9P25
NC7S08P5X
BAV23S
F20U60DN
MBR20100CTTU
FDMA1023PZ
FQA36P15
FQD12N20LTM_F085
FGA50N60LS
FGA50N100BNTDTU
KA5L0565RYDTU
KA34063A
J6806D
FDS6681Z
MB6S
LMV358AM8X
7M0880
MOC217R2VM
FDS6975
FDP12N50NZ
BDX53B
BDX53BTU
2N4401TAR
FDC6331
HCPL0453R2
FFA30UP20DNTU
NC7SZ38M5X
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